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SIR826DP-T1-RE3实物图
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SIR826DP-T1-RE3

SIR826DP-T1-RE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR826DP-T1-RE3
商品编号
C7011124
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))4.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)6.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)27.9nC@40V
输入电容(Ciss)2.9nF
反向传输电容(Crss)130pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

-固定电信-负载点(POL)-DC/DC转换器-初级和次级侧开关

数据手册PDF