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SISS26LDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:81.2A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS26LDN-T1-GE3
- 商品编号
- C7011130
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 81.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 提供无卤选项
- 第二代沟道型场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 采用新型低热阻、1.07 mm超薄封装的PowerPAK封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 同步整流
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