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SISS5708DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:9.3A 电流:33.8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS标准，无卤。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS5708DN-T1-GE3
- 商品编号
- C7011132
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.343333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33.8A；9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 975pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的RDS x Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS x Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电源-电机驱动控制
- SIUD401ED-T1-GE3
- SI5341B-D08163-GMR
- SI5341B-D09169-GM
- SI5341B-D10168-GMR
- SI5341B-D14324-GM
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- SI5341D-D10061-GM
- SJ3.5-N
- SJT00RT-10-35P(014)LC
- SI5341D-D14739-GM
- SJT00RT-16-35SLC
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- SI5342B-D-GM
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