- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISHA12ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:22A 电流:25A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISHA12ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C7011128
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SH
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A；22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W；28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 开关模式电源
- 个人电脑和服务器
- 电信电源模块
- 电压调节模块和负载点电源
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