- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR818DP-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR818DP-T1-GE3
- 商品编号
- C7011122
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 509A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- TrenchFET 第三代功率 MOSFET
- 100%进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-DC/DC 转换器的低端开关-笔记本电脑-服务器-负载点 (POL)-或门 (Oring)
- SIR826DP-T1-RE3
- SIS106DN-T1-GE3
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