温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR4608DP-T1-GE3
60V 42.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR4608DP-T1-GE3
- 商品编号
- C7011119
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS - Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用
相似推荐
其他推荐
- SIR5708DP-T1-RE3
- SIR818DP-T1-GE3
- SIR826DP-T1-RE3
- SIS106DN-T1-GE3
- SISHA12ADN-T1-GE3
- SISS26LDN-T1-GE3
- SISS5708DN-T1-GE3
- SIUD401ED-T1-GE3
- SI7114DN-T1-GE3
- SI7386DP-T1-GE3
- SI7738DP-T1-E3
- SI7806ADN-T1-GE3
- SI7858ADP-T1-E3
- SI8401DB-T1-E1
- SQ3410EV-T1_BE3
- SQ4080EY-T1_GE3
- SQA401EEJ-T1_GE3
- SQD50P03-07_GE3
- SQJ411EP-T1_GE3
- SQJ420EP-T1_BE3
- SQJ433EP-T1_BE3