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SIR4608DP-T1-GE3实物图
  • SIR4608DP-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIR4608DP-T1-GE3

60V 42.8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数(FOM)。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档。应用:同步整流。 初级侧开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR4608DP-T1-GE3
商品编号
C7011119
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)42.8A
导通电阻(RDS(on))11.8mΩ@10V,10A
属性参数值
耗散功率(Pd)3.6W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)8.9nC@7.5V
输入电容(Ciss)740pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低输入电容(Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定值(UIS)

应用领域

  • 计算机领域
  • 个人电脑银色机箱/ATX电源
  • 照明
  • 两级LED照明
  • 消费电子产品
  • 使用硬开关拓扑的应用
  • 功率因数校正(PFC)
  • 双开关正激转换器
  • 反激式转换器
  • 开关模式电源(SMPS)

数据手册PDF