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FDS4935BZ

2个P沟道耐压:30V 电流:6.9A

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描述: P沟道,-30V,-6.9A,22mΩ@-10V
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDS4935BZ
商品编号: C6651
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.207克(g)

商品参数

FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.9A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 6.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1360pF @ 15V
功率 - 最大值：900mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	6.9A
	导通电阻(RDS(on))	22mΩ@10V,6.9A
	耗散功率(Pd)	1.6W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.9V
	栅极电荷量(Qg)	40nC
	输入电容(Ciss)	1.36nF@15V
	反向传输电容(Crss)	200pF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃