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IPB054N08N3GATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:80A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB054N08N3GATMA1
- 商品编号
- C672064
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.75nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
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