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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@4.5V,19.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 提供无卤选项
- TrenchFET功率MOSFET
- 采用新型低热阻PowerPAK封装，厚度仅1.07 mm
- 针对PWM优化
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 同步整流-N沟道MOSFET
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