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SIDR610EP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:8.9A 电流:39.6A
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- 描述
- 特性：RoHS合规，无卤。 TrenchFET技术优化了RDS(on)、Qg、QSW和Qoss的平衡。 针对最低的RDS-Qoss品质因数进行了调整。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。 100%进行Rg和UIS测试。应用：固定电信。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR610EP-T1-RE3
- 商品编号
- C5899985
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39.6A；8.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W；150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET技术优化了导通电阻RDS(on)、栅极电荷Qg、开关电荷Qsw和输出电容电荷Qoss之间的平衡
- 针对最低的导通电阻RDS - 输出电容电荷Qoss品质因数进行了优化
- 顶部散热特性为热传递提供了额外途径
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
- 固定电信设备
- DC/DC转换器
- 初级和次级侧开关
- 同步整流
- 电源
- D类放大器
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