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SIDR610EP-T1-RE3实物图
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SIDR610EP-T1-RE3

1个N沟道 耐压:200V 电流:8.9A 电流:39.6A

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描述
特性：RoHS合规，无卤。 TrenchFET技术优化了RDS(on)、Qg、QSW和Qoss的平衡。 针对最低的RDS-Qoss品质因数进行了调整。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。 100%进行Rg和UIS测试。应用：固定电信。 DC/DC转换器
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIDR610EP-T1-RE3
商品编号
C5899985
包装方式
编带
商品毛重
0.32381克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)39.6A；8.9A
导通电阻(RDS(on))31.9mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)7.5W；150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)1.38nF@100V
反向传输电容(Crss)11pF@100V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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