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SIHG32N50D-GE3

1个N沟道耐压:500V 电流:30A

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描述: 特性：优化设计。低面积比导通电阻。低输入电容 (Ciss)。降低电容开关损耗。高体二极管耐用性。雪崩能量额定 (EAS)。应用：消费电子。显示器（LCD或等离子电视）
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHG32N50D-GE3
商品编号: C5900024
商品封装: TO-247AC
包装方式: 管装
商品毛重: 4.8克(g)

商品参数

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。

~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR320、SiHFR320)-直引脚(IRFU320、SiHFU320)-提供卷带包装-快速开关-易于并联-符合RoHS标准-无卤