SIDR668DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:95A 电流:23.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR668DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5899987
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23.2A；95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W；6.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻-输出电容品质因数进行优化
- 顶部散热特性为热传递提供了额外途径
- 100%进行栅极电阻和非钳位感性开关测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 或门功能
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池和负载开关
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