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SIHF9620S-GE3

1个P沟道耐压:200V 电流:3.5A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHF9620S-GE3
商品编号: C5900013
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

功率MOSFET技术是威世(Vishay)先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺,实现了极低的导通电阻,同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 D2PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK(TO - 263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

-表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-P沟道-快速开关-易于并联-驱动要求简单

应用领域

直流-直流转换器-低端开关-笔记本电脑-显卡-服务器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	3.5A
	导通电阻(RDS(on))	1.5Ω@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	40W
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	22nC@10V
	输入电容(Ciss)	350pF
	工作温度	-55℃~+150℃