温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHB120N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:25A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB120N60E-GE3
- 商品编号
- C5899999
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.562nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET技术优化了导通电阻RDS(on)、栅极电荷Qg、开关电荷Qsw和输出电容电荷Qoss之间的平衡
- 针对最低的导通电阻RDS - 输出电容电荷Qoss品质因数进行了优化
- 顶部散热特性为热传递提供了额外途径
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
- 固定电信设备
- DC/DC转换器
- 初级和次级侧开关
- 同步整流
- 电源
- D类放大器
相似推荐
其他推荐
- SIHB30N60ET5-GE3
- SIHD11N80AE-T4-GE3
- SIHD14N60ET1-GE3
- SIHD186N60EF-GE3
- SIHD2N80AE-GE3
- SIHD6N65ET1-GE3
- SIHF9620S-GE3
- SIHFR024-GE3
- SIHFR320-GE3
- SIHG21N65EF-GE3
- SIHG32N50D-GE3
- SIHG35N60EF-GE3
- SIHG460B-GE3
- SIHP11N80E-BE3
- SIHP12N50C-E3
- SIHP186N60EF-GE3
- SIHW70N60EF-GE3
- SIJA54DP-T1-GE3
- SIJH440E-T1-GE3
- SIR150DP-T1-RE3
- SIR164DP-T1-RE3