SIHD14N60ET1-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD14N60ET1-GE3
- 商品编号
- C5900005
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 309mΩ@10V,7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.205nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应晶体管 (TrenchFET) 功率 MOSFET：额定电压 2.5 V
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤产品
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