SIHD6N65ET1-GE3
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD6N65ET1-GE3
- 商品编号
- C5900011
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低有效电容（Ciss）
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 集成齐纳二极管静电放电保护
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源
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