SIHD11N80AE-T4-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD11N80AE-T4-GE3
- 商品编号
- C5900003
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,5.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 804pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 计算领域-个人电脑银盒/ATX 电源-照明-两级 LED 照明-消费电子-使用硬开关拓扑的应用-功率因数校正 (PFC)-双开关正激变换器-反激式变换器-开关模式电源 (SMPS)
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