SIHB10N40D-GE3
1个N沟道 耐压:400V 电流:10A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB10N40D-GE3
- 商品编号
- C5899997
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 526pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）第四代功率MOSFET
- 优化的Qg、Qgd以及Qgd/Qgs比，可降低与开关相关的功率损耗
- 顶部散热特性为热传递提供了额外途径
- 经过100% Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 同步降压转换器
- 或门逻辑（OR-ing）
- 负载开关
- 电池管理
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