SIHB10N40D-GE3
1个N沟道 耐压:400V 电流:10A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB10N40D-GE3
- 商品编号
- C5899997
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 526pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容 (Ciss)-降低电容性开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值 (UIS)-优化效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数 (FOM):Ron × QG-快速开关
应用领域
-消费电子-显示器(LCD 或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源 (SMPS)-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器
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