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SIHA21N65EF-E3

1个N沟道耐压:650V 电流:21A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHA21N65EF-E3
商品编号: C5899993
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

功率MOSFET技术是威世（Vishay）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
降低反向恢复时间(trr)、反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复峰值电流(IRRM)
低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
低输入电容(Ciss)
因Qrr降低而具有低开关损耗
超低栅极电荷(Qg)
雪崩能量额定(UIS)

应用领域

电信领域
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 消费电子和计算机领域
- ATX电源
工业领域
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能(光伏逆变器)
- 开关模式电源(SMPS)
- 采用以下拓扑结构的应用
  - LCC
  - 移相全桥(ZVS)
  - 三电平逆变器
  - 交直流桥

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	21A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	106nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.322nF
	工作温度	-55℃~+150℃