- 引脚图
- 焊盘图
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SI7464DP-T1-GE3
SI7464DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7464DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5899687
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 195mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 新型低热阻 PowerPAK 封装,高度仅 1.07 mm
- 针对快速开关优化的 PWM
应用领域
- 初级侧开关
- N 沟道 MOSFET
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