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SIAA02DJ-T1-GE3
N沟道，20 V（D-S）MOSFET
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS(on)和出色的Res x Qg品质因数（FOM），采用超紧凑封装尺寸。 紧凑且散热增强型封装。 为电源管理设计提供出色的通用性。应用：同步整流。 半桥功率级
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIAA02DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C5899981
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.2mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MDT60N06采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 在超紧凑的封装尺寸下,具有极低的导通电阻RDS(on)和出色的导通电阻与栅极电荷乘积品质因数(FOM)
- 紧凑且散热性能增强的封装
- 为电源管理设计提供卓越的通用性
应用领域
-同步整流-半桥功率级-DC/DC转换器-电池管理-负载开关
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