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SIAA02DJ-T1-GE3
N沟道，20 V（D-S）MOSFET
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS(on)和出色的Res x Qg品质因数（FOM），采用超紧凑封装尺寸。 紧凑且散热增强型封装。 为电源管理设计提供出色的通用性。应用：同步整流。 半桥功率级
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIAA02DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C5899981
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.2mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MDT60N06采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，当栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 60 A时，导通电阻RDson < 15 mΩ（典型值：12 mΩ）
- 高密度单元设计，可降低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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