SIDR140DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:25V 电流:79A 电流:100A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR140DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5899983
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 79A；100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.67mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W；6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 8.15nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 在超紧凑的封装尺寸下，具有极低的导通电阻RDS(on)和出色的导通电阻与栅极电荷乘积品质因数（FOM）
- 紧凑且散热性能增强的封装
- 为电源管理设计提供卓越的通用性
应用领域
- 同步整流-半桥功率级-DC/DC转换器-电池管理-负载开关
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