- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7868ADP-T1-GE3
SI7868ADP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7868ADP-T1-GE3
- 商品编号
- C5899691
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 550pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.225nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |
商品特性
- 提供无卤版本
- 沟道型功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(on)
- 优化PWM(栅极电荷Qg和栅极电阻Rg)
- 100%测试栅极电阻Rg
应用领域
- 低输出电压同步整流器
- SIA106DJ-T1-GE3
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