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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 热性能增强型PowerPAK SC-70封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 典型ESD保护：3000 V（HBM）
应用领域
- 便携式设备和消费电子产品的电源管理-负载开关-充电器开关-电池开关
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