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WST2035
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- WST2035是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST2035符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了完整的可靠性测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2035
- 商品编号
- C5772635
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@560mV | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
-便携式设备和电池供电系统-笔记本电脑电源管理