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WSD19N10DN56
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
- 描述
- WSD19N10DN56 是高性能沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD19N10DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD19N10DN56
- 商品编号
- C5772659
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,15mA | |
| 耗散功率(Pd) | 17.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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