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WSF80N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- WSF80N06采用先进的VD MOS技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和快速开关。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性，适用于低导通电阻RDS(ON)和品质因数（FOM）、极低开关损耗、出色的稳定性和一致性的应用，或用于逆变器。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF80N06
- 商品编号
- C5772676
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
WSD45P04DN56是高性能的沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD45P04DN56符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用