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WSR2N65实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSR2N65

1个N沟道 耐压:650V 电流:2A

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描述
WSR2N65是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。WSR2N65符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过抗雪崩能力(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSR2N65
商品编号
C5772696
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.702克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))4.8Ω@10V,1A
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8nC@10V
输入电容(Ciss)310pF@25V
反向传输电容(Crss)6pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)39pF

商品概述

WSK180N03是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSK180N03符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统

数据手册PDF