WSR22N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WSR22N50F 是硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管,采用自对准平面技术制造,可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为 TO - 220F,符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR22N50F
- 商品编号
- C5772695
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 285pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 功率因数校正(PFC)电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制
相似推荐
其他推荐
