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WSR22N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- WSR22N50F 是硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为 TO - 220F，符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR22N50F
- 商品编号
- C5772695
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 285pF |
商品概述
WSR22N50F是硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管,采用自对准平面技术制造,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。
商品特性
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- RoHS产品
应用领域
-开关应用-逆变器系统的电源管理
- WSR2N65
- SXT22410ED16-32.000M
- ISL78302AARMMZ-T7A
- J114AF1CHS9VDC.53
- ISL78302ARFBZ-T
- SXT22410ED17-30.000M
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- J114FL1CS1648VDC.41
- ISL80136IBEAJZ-T
- J114FL2AS85VDC.41
- ISL8107IRZ-T
- J114FL2CS85VDC.41
- SXT22410ED38-20.000M
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- J115F11A24VACS6
- SXT22410ED48-24.576M
- J115F11A9VDCSH.6
- ISL88002IE17Z-T
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