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WSC4N65实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSC4N65

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A

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描述
WSC4N65是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。WSC4N65符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSC4N65
商品编号
C5772693
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.5875克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.6Ω@10V,3.5A
耗散功率(Pd)77W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.2nC@10V
输入电容(Ciss)550pF@25V
反向传输电容(Crss)2.3pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)46pF

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF