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WSP85N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.5A
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- 描述
- WSP85N10 是高性能沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP85N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 保证，且经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP85N10
- 商品编号
- C5772670
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 445pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSP4955 是一款高性能沟槽式双 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4955 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 100%保证具有易感性(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)背光源逆变器