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WSF60N06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- WSF60N06A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF60N06A
- 商品编号
- C5772675
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.925nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD20L120ADN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WSD20L120ADN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 特殊工艺技术,具备高静电放电能力
应用领域
-功率开关应用-LED背光-不间断电源