温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSP6077
1个P沟道 耐压:60V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- WSP6077 是一款具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP6077 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全面的可靠性测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP6077
- 商品编号
- C5772667
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
WSD19N10DN56是高性能的沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD19N10DN56完全符合RoHS标准和绿色产品要求，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关