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WSD45P04DN56
1个P沟道 耐压:40V 电流:45A
- 描述
- WSD45P04DN56是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD45P04DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备全面的可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD45P04DN56
- 商品编号
- C5772657
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1334克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,-45mA | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 226pF |
商品概述
WSD23N10DN 是具有极高单元密度的高性能沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD23N10DN 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力（EAS），且经过全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 100% 保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）/笔记本电脑（NB）/超便携个人电脑（UMPC）/显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）背光源逆变器