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WST05P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:4.9A
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- 描述
- WST05P06是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WST05P06符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST05P06
- 商品编号
- C5772636
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V,-4.9mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@0.8V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。对于薄型应用，还提供通孔版本（IRFBF20L、SiHFBF20L）。
商品特性
- 表面贴装（IRFBF20S、SiHFBF20S）
- 薄型通孔（IRFBF20L、SiHFBF20L）
- 提供卷带包装（IRFBF20S、SiHFBF20S）
- 动态dV/dt额定值
- 工作温度150°C
- 快速开关
- 全雪崩额定