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WSD2073DN33
1个P沟道 耐压:20V 电流:25A
- 描述
- WsD2073DN33是高性能沟槽双P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rps(on)和栅极电荷。WsD2073DN33符合Rohs和绿色产品要求，100%经过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD2073DN33
- 商品编号
- C5772646
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@800mV | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
WSP9926是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP9926符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 100%保证 EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于 MB/NB/UMPC/VGA 的高频负载点同步降压转换器
- 网络 DC-DC 电源系统
- 负载开关