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WSD20L120ADN56
1个P沟道 耐压:20V 电流:88A
- 描述
- WSD20L120ADN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD20L120ADN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD20L120ADN56
- 商品编号
- C5772656
- 商品封装
- DFN5X6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
优惠活动
购买数量
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