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WSD6070DN56实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSD6070DN56

1个N沟道 耐压:60V 电流:80A

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描述
WSD6070DN56是一款高性能的槽栅N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD6070N56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSD6070DN56
商品编号
C5772651
商品封装
DFN5X6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.5332克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)2.68nF
反向传输电容(Crss)160pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)386pF

商品概述

WSD3068DN 是高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD3068DN 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%通过耐雪崩能力(EAS)测试,并经过全面的可靠性验证。

商品特性

-可靠耐用-提供无铅和绿色环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

-网络用DC-DC转换器开关-通用开关

数据手册PDF