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WST02N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:1.2A
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- 描述
- 特性：200V/1.2A, RDS(ON) = 680 mΩ (max.) @ VGS = 10 V。 ESD保护。 100% UIS + Rg测试。 可靠耐用。 有无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：网络用DC-DC转换器。 负载开关
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST02N20
- 商品编号
- C5772633
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WST3400D是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WST3400D符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供环保型器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步小功率开关-网络DC-DC电源系统-负载开关