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FDBL0240N100
1个N沟道 耐压:100V 电流:210A
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- 描述
- 特性：最大RDS(on)=2.8 mΩ，VGS = 10 V，ID = 80 A。 最大Qg(tot)=111 nC，VGS = 10 V，ID = 80 A。 UIS能力。 符合RoHS标准。应用：工业电机驱动。 工业电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL0240N100
- 商品编号
- C605016
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.995909克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W；300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.755nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
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