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FDD9510L-F085
耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 特性：典型 RDS(on) = 11 mΩ，VGS = -10V，ID = -50A。典型 Qg(tot) = 28 nC，VGS = -10V，ID = -50A。UIS 能力。符合 AEC Q101 标准。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。应用：汽车发动机控制。动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD9510L-F085
- 商品编号
- C605023
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 典型值漏源导通电阻 = 710 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值栅极电荷 = 22 nC）
- 低输出存储能量（典型值2.3 μJ @ 400 V）
- 低有效输出电容（典型值有效输出电容 = 106 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 增强的ESD能力
应用领域
- AC-DC电源
- LED照明