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FDMS4D0N12C实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C

描述
此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能,以及业内最佳的软体二极管。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDMS4D0N12C
商品编号
C605037
商品封装
PDFN-8(5.2x6.2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)114A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V,67A
耗散功率(Pd)106W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)6.46nF@60V
反向传输电容(Crss)24pF@60V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 小尺寸(5x6 mm),适合紧凑设计
  • 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
  • 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • 同步整流
  • 交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)电源
  • 交流-直流适配器(USB PD)同步整流
  • 负载开关

数据手册PDF