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FDS86252
1个N沟道 耐压:150V 电流:4.5A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS86252
- 商品编号
- C605061
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 4.5 A 时,最大 rDS(on) = 55 m Ω
- 在 VGS = 6 V、ID = 3.7 A 时,最大 rDS(on) = 80 m Ω
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 经过100%单脉冲雪崩能量(UIL)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换