温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS86252
1个N沟道 耐压:150V 电流:4.5A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS86252
- 商品编号
- C605061
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 典型漏源导通电阻 (RDS(on)) = 19.4 mΩ（栅源电压 (VGS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 20 A 时）
- 典型总栅极电荷 (Qg(tot)) = 28 nC（栅源电压 (VGS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 40 A 时）
- 具有非钳位感性负载 (UIS) 能力
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式启动发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块 (VRM)
- 12V 系统的初级开关