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FDWS9510L-F085
P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 特性：典型导通电阻RDS(on)：在VGS = -10V、ID = -50A时为11mΩ。 典型总栅极电荷Qg(tot)：在VGS = -10V、ID = -50A时为28nC。 具有UIS能力。 可焊侧翼，便于自动光学检测（AOI）。 通过AEC-Q101认证。 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。 动力系统管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDWS9510L-F085
- 商品编号
- C605068
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 811pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在 VGS = -10 V、ID = -50 A 条件下,典型 RDS(on) = 11 m Ω
- 在 VGS = -10 V、ID = -50 A 条件下,典型 Qg(tot) = 28 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 可焊侧翼,适用于自动光学检测(AOI)
- 通过 AEC-Q101 认证
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子转向系统
- 集成式起动机/发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V 系统主开关