温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 142pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 导通电阻RDS (on) 1 = 1.3 Ω(典型值),4V驱动
- 符合无卤要求