温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ECH8661-TL-H
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:5.5A 电流:7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- ECH8661 是一款功率 MOSFET，30V，7A，24mΩ，-30V，-5.5A，39mΩ，互补双 ECH8，用于通用开关设备应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ECH8661-TL-H
- 商品编号
- C605378
- 商品封装
- SOT-28FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0654克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道导通电阻：RDS(on)1 = 18mΩ（典型值），P沟道导通电阻：RDS(on)1 = 30mΩ（典型值）
- ECH8661集成了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，具有低导通电阻和高速开关特性，可实现高密度贴装
- 4V驱动
- 无卤合规
- 内置保护二极管