FQD7P06TM
1个P沟道 耐压:60V 电流:5.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD7P06TM
- 商品编号
- C605175
- 商品封装
- DPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度进行了优化。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 5.4 A，-60 V，RDS(on) = 450 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V，ID = -2.7 A
- 低栅极电荷（典型值6.3 nC）
- 低Crss（典型值25 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用