AFGB30T65SQDN
AFGB30T65SQDN
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术且通过了 AEC-Q101 认证。AFGB30T65SQDN 具有最佳性能以及低导通损耗和开关损耗，可在各种应用中实现高效运行。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- AFGB30T65SQDN
- 商品编号
- C603140
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.1V@15V,30A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 14.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 63.2ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 245ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单