- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AFGB30T65SQDN
AFGB30T65SQDN
- 描述
- 采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术且通过了 AEC-Q101 认证。AFGB30T65SQDN 具有最佳性能以及低导通损耗和开关损耗，可在各种应用中实现高效运行。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- AFGB30T65SQDN
- 商品编号
- C603140
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.1V@15V,30A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 14.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 63.2ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 245ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
- AFGB40T65SQDN
- AFGHL40T65SPD
- AFGHL50T65SQDC
- AFGHL75T65SQD
- AFGHL75T65SQDT
- AMIS49587C5871RG
- AP0101CS2L00SPGA0-DR1
- AP0202AT2L00XPGA0-DR
- AR0135CS2C19SUEA0-DRBR1
- AR0135CS2M00SUEA0-DPBR
- AR0141CS2C00SUEA0-DP
- AR0147ATSC00XUEG0-DPBR
- AR0231AT7B00XUEA0-DRBR
- AR0430CSSC14SMRA0-DR
- AR0431CSSC14SMRA0-DR
- AR0521SR2C09SURA0-DP
- AR0521SR2C09SURA0-DP1
- AR0521SR2C09SURA0-DR
- AR0521SR2M09SURA0-DP
- AR0522SRSC09SURA0-DP
- AR0522SRSC09SURA0-DR