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AFGHL50T65SQDC
650V 100A
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- 描述
- 安森美半导体的新型混合 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 和 SiC SBD 技术，为硬开关应用提供了最佳性能。该器件将硅基 IGBT 与 SiC 肖特基势垒二极管联合封装，在硅基解决方案的较低性能和全碳化硅解决方案的较高成本之间实现了绝佳平衡。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- AFGHL50T65SQDC
- 商品编号
- C603143
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 238W | |
| 输出电容(Coes) | 265pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.4V@50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.098nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17.6ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 89.6ns | |
| 导通损耗(Eon) | 131uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 96uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 9pF |
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