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AFGHL75T65SQDT
650V 80A
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- 描述
- AFGHL75T65SQDT采用新型场截止第四代IGBT技术和隐形二极管技术，具备低导通损耗和低开关损耗的特性，可实现最优性能，适用于各类应用的高效运行，尤其适用于图腾柱无桥PFC和DC-DC模块。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- AFGHL75T65SQDT
- 商品编号
- C603145
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.4V@75mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.617nF | |
| 输出电容(Coes) | 152pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 106ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.12mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.14mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 75ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- AMIS49587C5871RG
- AP0101CS2L00SPGA0-DR1
- AP0202AT2L00XPGA0-DR
- AR0135CS2C19SUEA0-DRBR1
- AR0135CS2M00SUEA0-DPBR
- AR0141CS2C00SUEA0-DP
- AR0147ATSC00XUEG0-DPBR
- AR0231AT7B00XUEA0-DRBR
- AR0430CSSC14SMRA0-DR
- AR0431CSSC14SMRA0-DR
- AR0521SR2C09SURA0-DP
- AR0521SR2C09SURA0-DP1
- AR0521SR2C09SURA0-DR
- AR0521SR2M09SURA0-DP
- AR0522SRSC09SURA0-DP
- AR0522SRSC09SURA0-DR
- AR0522SRSM09SURA0-DP
- AR0522SRSM09SURA0-DR
- AR1335CSSC11SMKA0-CP1
- ASX340AT2C00XPED0-DRBR
- ATP101-TL-H